در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدل های DC-DC و مدارهای فیلتر EMI، سلف های برق مستقیماً بر کارایی سیستم، سازگاری الکترومغناطیسی و قابلیت اطمینان تأثیر می گذارند. هسته‌های درام سنتی از یک مدار مغناطیسی باز با شار نشتی نسبتاً بالا استفاده می‌کنند که می‌تواند به راحتی با مدارهای حساس نزدیک تداخل کند و دشواری طراحی EMC را افزایش دهد. در عین حال، برنامه های کاربردی با جریان بالا، تقاضاهای بیشتری را برای قابلیت حمل جریان و پایداری حرارتی سلف ایجاد می کنند.SHINHOMخفگی حلقویدستیابی به شار نشتی بسیار کم و تابش EMI کم، ارائه یک راه حل القاگر قدرت با کارایی بالا برای سیستم های الکترونیکی با چگالی بالا.
فناوری هسته 1: طراحی مدار مغناطیسی بسته - شار نشتی بسیار کم، کاهش تداخل EMI
توضیحات فنی
- هسته حلقوی یک مدار مغناطیسی بسته را تشکیل می دهد که شار مغناطیسی تقریباً به طور کامل در هسته محدود می شود.
- در مقایسه با مدار مغناطیسی باز هسته های درام سنتی، شار نشتی به طور قابل توجهی کاهش می یابد
ارزش مهندسی
- تداخل با مدارهای حساس اطراف (مانند RF، سنسورها و خطوط سیگنال پرسرعت) را کاهش می دهد.
- دشواری طراحی EMC در سطح سیستم را کاهش می دهد
- مناسب برای طرح‌بندی PCB با چگالی بالا، جایی که سلف‌ها احتمال کمتری برای تولید جفت مغناطیسی بین یکدیگر دارند.
سناریوهای قابل اجرا
- مدارهای فیلتر EMI
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
- مبدل های DC-DC
فناوری هسته 2: تابش EMI کم - سازگاری الکترومغناطیسی عالی
توضیحات فنی
- مدار مغناطیسی بسته نشت شار مغناطیسی را در منبع سرکوب می کند
- ویژگی های کم اشعه EMI
ارزش مهندسی
- به سیستم‌ها کمک می‌کند تا گواهینامه انطباق EMI را راحت‌تر دریافت کنند
- نیاز به اقدامات محافظ اضافی را کاهش می دهد
- سازگاری الکترومغناطیسی کلی تجهیزات را بهبود می بخشد
سناریوهای قابل اجرا
- تجهیزات ارتباطی حساس به EMI
- تجهیزات الکترونیک پزشکی
- سیستم های الکترونیکی خودرو
فناوری هسته 3: قابلیت حمل جریان بالا - تا 25.4 آمپر
توضیحات فنی
- سری های سرب دار جریان تا38.7A(سری TM)
- سری SMD از جریان تا25.4A(سری STR8052)
ارزش مهندسی
- مناسب برای مبدل های DC-DC پرقدرت و منابع تغذیه سوئیچینگ
- نیازهای جریان بالا تجهیزات صنعتی و منابع تغذیه ارتباطی را برآورده می کند
- تعداد سلف های موازی را کاهش می دهد و طراحی مدار را ساده می کند
سناریوهای قابل اجرا
- منابع تغذیه سوئیچینگ با توان بالا
- ماژول های برق صنعتی
- منابع تغذیه سرور
فناوری هسته 4: محدوده اندوکتانس وسیع و گزینه های بسته چندگانه
توضیحات فنی
- محدوده اندوکتانس:0.47μH تا 2200μH
- گزینه های بسته:SMD و سرب دارانواع
- دمای عملیاتی:-55 درجه تا +125 درجه(انواع سرب تا200 درجه)
ارزش مهندسی
- محدوده اندوکتانس گسترده با نیازهای مختلف فیلتر سازگار است
- بسته SMD برای تولید خودکار با حجم بالا مناسب است و باعث صرفه جویی در فضای PCB می شود
- پکیج سرب دار برای لحیم کاری دستی و کاربردهای با جریان بالا مناسب است
- محدوده دمای عملیاتی گسترده با محیط های سخت سازگار است
سناریوهای قابل اجرا
- لوازم الکترونیکی مصرفی
- کنترل صنعتی
- الکترونیک خودرو
بررسی اجمالی سری محصولات
| نوع بسته | سری | محدوده اندوکتانس (µH) | محدوده فعلی (A) | ویژگی ها |
|---|---|---|---|---|
| رهبری کرد | ATC-TC | 40–470 | 0.5–3 | تلفات کم، همه منظوره |
| رهبری کرد | TM | 1.0–1000 | 1.6–38.7 | جریان بالا، قدرت بالا |
| رهبری کرد | TR | 10–1000 | 1.3–20.2 | همه منظوره |
| رهبری کرد | TR75 | 180–720 | - | محدوده اندوکتانس خاص |
| رهبری کرد | TS | 1.0–1000 | 1.5–34 | جریان بالا، DCR کم |
| SMD | STC0718 | 0.42–100 | 0.24–3.0 | مینیاتوری شده |
| SMD | STR | 1.1–2000 | 0.18–3.2 | دامنه اندوکتانس گسترده |
| SMD | STR30 | 1.8–390 | 0.6–12 | جریان متوسط |
| SMD | STR38 | 1.5–470 | 0.74–18 | جریان بالاتر |
| SMD | STR44 | 5.6–2200 | 0.38–11 | اندوکتانس بالا |
| SMD | STR50 | 10–4700 | 0.31–9.0 | اندوکتانس فوق العاده بالا |
| SMD | STR8052 | 1.0–1000 | 1.9–25.4 | بالاترین جریان |
| SMD | STRD | 0.88–77 | 1.1–22.4 | DCR کم |
| SMD | STR0918 | 0.47–47 | 0.43–3.0 | اندازه جمع و جور |
سایر مشخصات فنی
| ویژگی | توضیحات | ارزش مهندسی |
|---|---|---|
| صدای کم شنیدنی | وزوز سیم پیچ را کاهش می دهد | تجربه کاربر را برای تجهیزات صوتی و لوازم خانگی بهبود می بخشد |
| بازده مغناطیسی بالا | اندوکتانس بالا در واحد حجم | مناسب برای نصب با تراکم بالا |
| مشخصه اشباع نرم | اندوکتانس به تدریج با افزایش جریان کاهش می یابد | برای جلوگیری از اشباع به حاشیه طراحی نیاز دارد |
| سازگار با RoHS | مواد سازگار با محیط زیست | الزامات دسترسی به بازار جهانی را برآورده می کند |
نتیجه گیری:
راخفگی حلقوی SHINHOMبا چهار مزیت فنی اصلی –طراحی مدار مغناطیسی بسته، تابش EMI کم، ظرفیت جریان بالا 25.4 آمپر، و محدوده اندوکتانس وسیع- برای کاربردهای مختلف از جمله منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدل های DC-DC، مدارهای فیلتر EMI و چوک های خروجی مناسب است.
برای توصیه های انتخاب یا درخواست نمونه بر اساس کاربرد خاص خود (نیازمندی های فعلی، اندوکتانس، نوع بسته، دمای عملیات)، لطفاً با تیم فنی ما تماس بگیرید.
📧 ایمیل: sales@shinhom.com
🌐 وب سایت: www.shinhom.com/
🔗جزئیات و سوالات محصول: خفگی حلقوی